[发明专利]一种高纯度去羟肌苷杂质的制备方法在审
申请号: | 201610220005.4 | 申请日: | 2016-04-11 |
公开(公告)号: | CN107286212A | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 高明;王俊臣;陈风;朱秋晟;钱丹;殷恒亮;杨秋燕;陈金春;卢廷贵;赵臻;李翠平;马珍珍;年蓓蕾 | 申请(专利权)人: | 天方药业有限公司 |
主分类号: | C07H19/16 | 分类号: | C07H19/16;C07H1/00 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司11279 | 代理人: | 司丽春,田昕 |
地址: | 463000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种高纯度去羟肌苷杂质的制备方法,该方法所采用的试剂易得,合成操作简单,反应条件温和,产物纯度高。其包括以下步骤1)以2‑乙酰氧基异丁酰氯和肌苷为起始原料,在溴化锂催化下在溶剂中进行溴代反应和酰化反应;2)步骤1所得反应液浓缩除去溶剂后溶于极性溶剂中直接用于下一步;3)低温条件下向其中加入碱性试剂,调pH至强碱条件下进行反应,即得2’,3’‑脱水肌苷。 | ||
搜索关键词: | 一种 纯度 去羟肌苷 杂质 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种去羟肌苷杂质2’,3’‑脱水肌苷的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)以2‑乙酰氧基异丁酰氯和肌苷为起始原料,在溴化锂催化下在溶剂中发生反应;2)步骤1所得反应液浓缩除去溶剂后溶于极性溶剂中直接用于下一步;3)低温条件下向步骤2所得极性溶剂中加入碱性试剂,调pH至强碱条件下进行反应,即得2’,3’‑脱水肌苷。
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