[发明专利]一种超级电容器用合金/镍钴硫代尖晶石复合电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201610220042.5 | 申请日： | 2016-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN105810443B | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 赵晓冲;程禹;杨盼;杨丽军;郝亚伟;马策 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院材料研究所 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/86 |
| 代理公司： | 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239 | 代理人： | 刘华平 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级电容器用合金/镍钴硫代尖晶石复合电极的制备方法，其步骤包括：（1）清洗泡沫金属；（2）电沉积法制备泡沫金属基合金；（3）在泡沫金属基合金上原位水热生长镍钴硫代尖晶石；（4）制得金属/镍钴硫代尖晶石复合电极。同时，本发明还公开了上述制备方法所制得的复合电极。与现有技术相比，该复合电极能够有效提高超级电容器的质量比容量和循环稳定性，具有很高的实用价值和广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超级 电容 器用 合金 镍钴硫代 尖晶石 复合 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超级电容器用合金/镍钴硫代尖晶石复合电极，其特征在于，由泡沫金属基合金与镍钴硫代尖晶石两部分均匀复合而成，且所述泡沫金属基合金中包含不同于镍、钴的高活性和高电导率的第三种金属。
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