[发明专利]静电放电保护元件有效
申请号: | 201610220160.6 | 申请日: | 2016-04-11 |
公开(公告)号: | CN107093603B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 蔡英杰;陈永初 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种静电放电保护元件,包括:电源钳位电路以及隔离电路。电源钳位电路包括第一稽纳二极管与第二稽纳二极管。第一稽纳二极管的阴极耦接至第一电源供应线。第一稽纳二极管的阳极耦接至第二稽纳二极管的阳极。第二稽纳二极管的阴极耦接至第二电源供应线。隔离电路包括第一隔离二极管与第二隔离二极管。第一隔离二极管的阴极耦接至第一电源供应线。第一隔离二极管的阳极耦接至第二隔离二极管的阴极与被保护的电路。第二隔离二极管的阳极耦接至第二电源供应线。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 保护 元件 | ||
【主权项】:
1.一种静电放电保护元件,包括:一电源钳位电路,包括一第一稽纳二极管与一第二稽纳二极管,该第一稽纳二极管的阴极耦接至一第一电源供应线,该第一稽纳二极管的阳极耦接至该第二稽纳二极管的阳极,且该第二稽纳二极管的阴极耦接至一第二电源供应线;以及一隔离电路,包括一第一隔离二极管与一第二隔离二极管,该第一隔离二极管的阴极耦接至该第一电源供应线,该第一隔离二极管的阳极耦接至该第二隔离二极管的阴极以及被保护的一电路,且该第二隔离二极管的阳极耦接至该第二电源供应线;其中,该电源钳位电路包括:一P型阱,形成在一半导体基底中,且该P型阱位于一深N型阱中;一第一N型区与一第二N型区,形成在该P型阱中,该第一N型区与该第二N型区夹住该P型阱的一部分,该第一稽纳二极管包括该第一N型区与该P型阱的该部分,且该第二稽纳二极管包括该第二N型区与该P型阱的该部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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