[发明专利]用于制造太阳能电池的方法和结构有效
申请号: | 201610220531.0 | 申请日: | 2011-09-20 |
公开(公告)号: | CN105895737B | 公开(公告)日: | 2018-08-07 |
发明(设计)人: | 加布里埃尔·哈利;戴维·D·史密斯;蒂姆·丹尼斯;安·瓦尔德豪尔;金泰锡;彼得·约翰·卡曾斯 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 陈源;李荣胜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 通过激光烧蚀形成太阳能电池(420)的接触孔,以适应多种太阳能电池设计。通过用具有大体均匀厚度的膜(424)替换形成于所述扩散区上的膜,从而有利于使用激光形成所述接触孔。接触孔可形成到深扩散区,以增大所述激光烧蚀方法裕度。可调整所述激光配置以形成穿过不同厚度的介质膜的接触孔。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 太阳能电池 方法 结构 | ||
【主权项】:
1.一种制造太阳能电池的方法,所述方法包括:在太阳能电池的背面上的层间介质上形成抗反射涂层,所述抗反射涂层与所述层间介质一起被配置为具有大于1×107V/cm的击穿电压;使用激光形成穿过所述层间介质和所述抗反射涂层的接触孔以暴露扩散区;以及在所述接触孔中形成金属触点以电连接到所述扩散区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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