[发明专利]OGS电容触摸屏的后消影镀膜方法在审
| 申请号： | 201610220801.8 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN105760036A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 张少波;钟汝梅;王进 | 申请（专利权）人： | 凯盛信息显示材料(黄山)有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/044 | 分类号： | G06F3/044 |
| 代理公司： | 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 34102 | 代理人： | 王琪;王玲霞 |
| 地址： | 245400 安徽省黄山市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种OGS电容触摸屏的后消影镀膜方法，先将OGS电容触摸屏玻璃用纯水进行清洗，去除表面浮尘，然后在清洗干净的OGS电容触摸屏玻璃上依次镀氧化硅膜层和氮化硅膜层，氧化硅膜层厚度为20～60nm，氮化硅膜层厚度为10～40nm。本发明使用氧化硅膜层和氮化硅膜层消除了OGS电容触摸屏贴合的图案阴影，提高了原有OGS电容触摸屏的透过率；用氮化硅作为消影层材料，可以改善OGS电容触摸屏电测不良的情况；将消影层镀在触摸屏的最后，可同时替代传统OGS的OC保护，起到对OGS电容触摸屏的保护作用。 | ||
| 搜索关键词： | ogs 电容 触摸屏 后消影 镀膜 方法 | ||
【主权项】：
OGS电容触摸屏的后消影镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将OGS电容触摸屏玻璃用纯水进行清洗，去除表面浮尘；(2)在清洗干净的OGS电容触摸屏玻璃上依次镀氧化硅膜层和氮化硅膜层；所述OGS电容触摸屏玻璃厚度为0.4～2.0mm；所述氧化硅膜层厚度为20～60nm；所述氮化硅膜层厚度为10～40nm。
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