[发明专利]一种钛表面氧化锆复合陶瓷膜层的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610221224.4 申请日: 2016-04-11
公开(公告)号: CN105839060A 公开(公告)日: 2016-08-10
发明(设计)人: 高广睿;王宝云;罗小峰;屈静;刘晶;郑晓晨 申请(专利权)人: 西安赛福斯材料防护有限责任公司
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32;C23C14/16;C23C14/02;C23C14/58;C25D11/26;C23C28/04
代理公司: 陕西增瑞律师事务所 61219 代理人: 孙卫增
地址: 710200 陕西省西安市经*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种钛表面氧化锆复合陶瓷膜层的制备方法,该方法为:1、在钛零件表面采用真空离子镀方法制备锆膜层,通过调整镀膜工艺参数,沉积制备厚度1~50μm的锆膜层;2、将制备了锆涂层的工件进行真空热处理,钛工件表面锆膜层与基体进一步互扩散,获得一定厚度的钛、锆互扩散层;3、将表面制备了锆扩散层的钛工件进行微弧氧化处理,工件表面生成含氧化钛的复合氧化锆陶瓷膜层,陶瓷层的厚度1~100μm;氧化锆含量10%~100%。本发明采用离子镀膜与微弧氧化技术在钛及钛合金表面制备氧化锆复合陶瓷膜层,通过调节基体表面沉积膜层厚度以及扩散热处理获得不同锆含量的过渡层,最终通过微弧氧化在钛基体表面获得不同厚度和氧化锆含量的复合陶瓷膜层。
搜索关键词: 一种 表面 氧化锆 复合 陶瓷膜 制备 方法
【主权项】:
一种钛工件表面氧化锆复合陶瓷膜层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、将钛工件表面除油清洗后脱水干燥,将钛工件置于真空离子镀膜机中作为阳极,采用纯锆作为阴极靶源,在真空离子镀膜机的真空度为1×10‑1Pa~9×10‑1Pa的氩气气氛保护条件下对所述钛工件进行真空等离子镀膜处理,在钛工件表面得到沉积膜层;步骤二、将步骤一中表面具有所述沉积膜层的钛工件置于真空热处理炉中,在真空热处理炉的真空度不大于2×10‑3Pa,温度为500℃~650℃的条件下保温5min~240min进行真空热处理;步骤三、将步骤二中真空热处理后的钛工件置于电解槽中,以钛工件为阳极,以不锈钢板为阴极进行微弧氧化处理,在钛工件表面得到氧化锆复合陶瓷膜层。
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