[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201610221577.4 | 申请日： | 2016-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN107293532B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 陈士弘 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L21/48 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一叠层结构、一刻蚀停止层以及一导电结构。叠层结构包括多个导电层及多个绝缘层，导电层与绝缘层系交错叠层设置(interlaced)。刻蚀停止层形成于叠层结构的一侧壁上，刻蚀停止层的一能带宽度(energy gap)系为大于6电子伏特(eV)。导电结构电性连接于此些导电层的至少其中之一。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：/n一叠层结构，包括：/n多个导电层；及/n多个绝缘层，这些导电层与这些绝缘层系交错叠层设置；/n一刻蚀停止层，包括第一停止层和第二停止层，该第一停止层是从该叠层结构的一侧壁方向对这些导电层进行氧化，以沿着该侧壁形成多个氧化层，这些氧化层与其邻近的绝缘层部分彼此相连接形成该第一停止层；该第二停止层形成于该叠层结构的该侧壁上并且直接接触由这些氧化层与其邻近的绝缘层部分构成的该第一停止层；其中该刻蚀停止层的一能带宽度系大于6电子伏特；以及/n多个导电结构，该多个导电结构的至少其中之一电性连接于这些导电层的至少其中之一，且其中该刻蚀停止层具有彼此相连接的一垂直段以及一水平段，该垂直段位于该侧壁上，该导电结构穿过该水平段以电性连接于该至少其中之一个导电层，且该导电结构直接连接该刻蚀停止层的该垂直段。/n
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