[发明专利]GaN外延片的制作方法及制备GaN外延片的设备在审
| 申请号： | 201610222143.6 | 申请日： | 2016-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN105742160A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李东昇;丁海生;陈善麟 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B25/18;C23C16/34;C23C16/20;C23C16/40 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种GaN外延片的制作方法及制备GaN外延片的设备，提供具有多个反应腔室的设备，将成核层固定于一个反应腔室内生长，将含有Ga元素的缓冲层固定于另一个腔体内生长，可以有效地防止反应腔室内残留物挥发回熔对其他薄膜层质量造成影响，从而提高GaN外延层的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | gan 外延 制作方法 制备 设备 | ||
【主权项】：
一种GaN外延片的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供设备，所述设备包括m个反应腔室，其中m为自然数，且m≥2；提供支撑衬底，将所述支撑衬底置于第一反应腔室中，并在第一反应腔室中形成成核层；将形成有所述成核层的支撑衬底传输至第二反应腔室中，并在第二反应腔室中形成含有Ga元素的缓冲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
