[发明专利]一种单片型双极膜及其制备方法在审
申请号: | 201610223380.4 | 申请日: | 2016-04-12 |
公开(公告)号: | CN105833737A | 公开(公告)日: | 2016-08-10 |
发明(设计)人: | 方军;官英杰;赵金保 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | B01D69/02 | 分类号: | B01D69/02;B01D67/00;B01D61/44;B01D71/78;C08J5/22;B01J43/00 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 一种单片型双极膜及其制备方法,涉及功能高分子膜材料。所述单片型双极膜包括阳离子交换层和阴离子交换层。制备方法一:基底膜预辐照;双面同时接枝;磺化;季铵化。制备方法二:基底膜预辐照;双面分步接枝;磺化;季铵化。通过辐射接枝技术制备双极膜,不仅省去了传统双极膜制备过程中的成膜工序,而且接枝过程无需添加引发剂和催化剂等,所制得的双极膜非常均匀和纯净。步骤简单,膜的热稳定性和化学稳定性更好。即使长期使用,也不会出现中间界面层鼓泡、开裂等复合型双极膜在使用过程中容易出现的问题。机械性能、热稳定性和化学稳定性好。避免氯甲醚等强致癌性试剂的使用,降低对人体及环境的危害。 | ||
搜索关键词: | 一种 单片 型双极膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种单片型双极膜,其特征在于包括阳离子交换层和阴离子交换层;所述阳离子交换层的化学结构如下:其中,M为基底膜的高分子链,n为聚合度,n是不为零的整数;R1和R2为氢原子或碳原子数小于4的烷基;R3为碳原子数小于3的烃基;X+为阳离子,X+可为H+、Li+、Na+、K+中的任一种;所述阴离子交换层的化学结构如下:其中,M为基底膜的高分子链(阴离子交换层的基底膜与阳离子交换层的基底膜相同);m为聚合度,m是不为零的整数;R4、R5为氢原子或碳原子数小于4的烷基;R6为碳原子数小于7的烃基;X‑为阴离子,X‑可为Cl‑、Br‑、I‑、OH‑、SO3H‑中的任一种。
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