[发明专利]一种四方相Na3SbS4钠快离子导体及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610223511.9 申请日: 2016-04-12
公开(公告)号: CN105845976A 公开(公告)日: 2016-08-10
发明(设计)人: 张隆;张德超;杨坤 申请(专利权)人: 燕山大学
主分类号: H01M10/0562 分类号: H01M10/0562
代理公司: 秦皇岛一诚知识产权事务所(普通合伙) 13116 代理人: 续京沙
地址: 066004 河北省*** 国省代码: 河北;13
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种四方相Na3SbS4钠快离子导体,它是一种由含大半径原子Sb构成的SbS4基团形成刚性骨架,构建适合Na离子扩散的迁移通道,且结构中的钠位置含大量的空位的四方相结构的快离子导体。上述离子导体的制备方法主要是按摩尔比2.29~3.01:1:3.09~4.01的比例,将单质Na、Sb和S混合后,放入石英管中真空密封,在马弗炉中加热到600~900℃,保温8~24小时,冷却至室温,在手套箱中用研钵手动或用球磨机进行球磨成粉末。本发明制备工艺简单、可重复性高,制得的Na3SbS4钠快离子导体具有极高的离子电导率,其数值超过3.4×10‑3S/cm。
搜索关键词: 一种 四方 na sub sbs 离子 导体 及其 制备 方法
【主权项】:
一种四方相Na3SbS4钠快离子导体,其特征在于:它是一种可用于固体电解质的快离子导体,它由含大半径原子Sb构成的SbS4基团形成刚性骨架,构建适合Na离子扩散的迁移通道,且结构中的钠位置含大量的空位的四方相结构的快离子导体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于燕山大学,未经燕山大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610223511.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top