[发明专利]包括空腔式盖状物的半导体器件在审
| 申请号： | 201610223601.8 | 申请日： | 2016-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN106057777A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | T·基尔格;D·迈尔;F·X·米尔鲍尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L21/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了包括空腔式盖状物的半导体器件，具体而言，涉及具有盖状物的半导体器件和制造具有盖状物的半导体器件的方法。半导体器件包括衬底。器件位于衬底。将由半导体材料制成的盖状物设置在器件上，以在器件周围形成空腔。使用半导体工艺形成盖状物。在其他示例中，可以由非导电材料制成盖状物，例如聚合物材料。盖状物可以作为批量处理的部分形成。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 空腔 式盖状物 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体，包括：衬底；半导体器件，所述半导体器件位于所述衬底处；由半导体材料制成的盖状物，所述盖状物位于所述半导体器件上方以在所述半导体器件周围形成空腔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610223601.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光学装置和显示控制方法
- 下一篇：燃料电池用电极的制造方法
