[发明专利]IGBT老化状态监测方法及装置有效
| 申请号： | 201610223894.X | 申请日： | 2016-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN105911446B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 周雒维;彭英舟;张晏铭;蔡杰;王凯宏;孙鹏菊;杜雄 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 谢殿武 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供的IGBT老化状态监测方法及装置，其方法包括：通过测量电路中的稳压芯片输出正常电压，当稳压芯片控制信号为高电平时，测量电路输出驱动电压使待测IGBT导通；将稳压芯片控制信号置为低电平，使稳压芯片输出电压为零，当IGBT门极电压降至开通阈值电压时，流经IGBT集电极电流为零，控制驱动电压缓慢连续下降，并截取的测量电路输出驱动电压波形和相应的集电极电流波形,获取待测IGBT的传输特性曲线；将通过所述传输特性曲线提取的待测IGBT的导通阈值电压和跨导作为老化状态特征量，对待测IBGT的老化状态进行监测；本发明具有快速、准确的对IGBT的老化状态情况进行检测的特点。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 老化 状态 监测 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT老化状态监测方法，其特征在于：包括a.通过测量电路中的稳压芯片输出正常电压，当稳压芯片控制信号为高电平时，测量电路输出驱动电压使待测IGBT导通；b.将稳压芯片控制信号置为低电平，使稳压芯片输出电压为零，当IGBT门极电压降至开通阈值电压时，流经IGBT集电极电流为零，控制驱动电压缓慢连续下降，并截取的测量电路输出驱动电压波形和相应的集电极电流波形,获取待测IGBT的传输特性曲线；c.将通过所述传输特性曲线提取的待测IGBT的导通阈值电压和跨导作为老化状态特征量，对待测IBGT的老化状态进行监测。
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