[发明专利]芯片器件及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201610224118.1 申请日: 2016-04-12
公开(公告)号: CN107290326B 公开(公告)日: 2020-07-17
发明(设计)人: 潘革波;秦双娇;彭飞;陈雪晴 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: G01N21/65 分类号: G01N21/65
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰
地址: 215123 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于拉曼光谱检测技术领域,尤其公开了一种用于拉曼检测的芯片器件,其包括:基底、纳米颗粒层以及多孔层;其中,所述基底的表面凹陷形成间隔排列的多个凹槽,所述凹槽的槽壁以及位于两相邻的所述凹槽之间的基底的表面上覆盖有多孔层;所述纳米颗粒层覆盖于所述多孔层上。根据本发明的芯片器件具有多孔结构,具备较大的局域电磁场效应以及更多的拉曼活性增强点,使得该芯片器件具有高灵敏度。本发明还公开了上述芯片器件的制作方法,该制作方法工艺简单,生产成本低,适于大批量生产。
搜索关键词: 芯片 器件 及其 制作方法
【主权项】:
一种芯片器件,其特征在于,包括:基底、纳米颗粒层以及多孔层;其中,所述基底的表面凹陷形成间隔排列的多个凹槽,每个所述凹槽的槽壁以及位于相邻的两个所述凹槽之间的所述基底的表面上覆盖所述多孔层,所述纳米颗粒层覆盖所述多孔层。
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