[发明专利]基于离子溅射技术的纳米尺度光学亚表面损伤检测方法在审

专利信息
申请号: 201610224159.0 申请日: 2016-04-12
公开(公告)号: CN105891548A 公开(公告)日: 2016-08-24
发明(设计)人: 戴一帆;廖文林;解旭辉;徐明进;鹿迎 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科学技术大学
主分类号: G01Q60/24 分类号: G01Q60/24;G01Q30/20
代理公司: 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 代理人: 赵洪;谭武艺
地址: 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种基于离子溅射技术的纳米尺度光学亚表面损伤检测方法,步骤包括:1)对被检测光学元件的表面进行离子束溅射形成斜坡槽,由于光学元件亚表面损伤区域会产生材料的稠密化效应,在后续的离子束溅射过程中材料稠密化的亚表面损伤区域的离子束溅射去除速率将低于其他区域,使得被检测光学元件的亚表面损伤经离子束溅射后暴露在斜坡槽表面并生成与原有亚表面损伤结构相同的凸起纳米结构;2)利用原子力显微镜对斜坡槽内的凸起纳米结构进行测量,确定被检测光学元件的亚表面损伤深度信息。本发明能够测量光学元件亚表面纳米尺度的损伤,检测精度高、便于揭露亚表面损伤和观察。
搜索关键词: 基于 离子 溅射 技术 纳米 尺度 光学 表面 损伤 检测 方法
【主权项】:
一种基于离子溅射技术的纳米尺度光学亚表面损伤检测方法,其特征在于步骤包括:1)对被检测光学元件的表面进行离子束溅射形成斜坡槽,由于光学元件亚表面损伤区域会产生材料的稠密化效应,在后续的离子束溅射过程中材料稠密化的亚表面损伤区域的离子束溅射去除速率将低于其他区域,使得被检测光学元件的亚表面损伤经离子束溅射后暴露在斜坡槽的表面并生成与原有亚表面损伤结构相同的凸起纳米结构;所述稠密化效应是指光学元件在抛光过程中由于受到抛光力的作用,产生的亚表面损伤区域的材料被压实,导致局部密度增大的现象;2)利用原子力显微镜对斜坡槽内的凸起纳米结构进行测量,确定被检测光学元件的亚表面损伤深度信息。
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