[发明专利]一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法

摘要

本发明公开了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法，属于显示技术领域。阵列基板包括栅极层、栅绝缘层、第一有源层、ITO像素电极层、源漏电极层、保护层、公共电极层，阵列基板还包括第二有源层，栅绝缘层覆盖在栅极层上，第一有源层、源漏电极层和ITO像素电极层覆盖在栅绝缘层上；源漏电极层覆盖在第一有源层上，第二有源层覆盖在源漏电极层和第一有源层上；保护层覆盖在源漏电极层、第二有源层和ITO像素电极层上，公共电极层覆盖在保护层上。本发明在制作阵列基板时，在一层有源层的基础上还另外增加了另一层有源层与源漏电极层搭接，由栅极驱动双层有源层，实现了双层A‑Si载流子驱动，提升了A‑Si载流子的迁移率。

主权项

1.一种阵列基板，包括栅极层、栅绝缘层、第一有源层、铟锡氧化物ITO像素电极层、源漏电极层、保护层、公共电极层，其特征在于，所述阵列基板还包括第二有源层，所述栅绝缘层覆盖在所述栅极层上，所述第一有源层、所述源漏电极层和所述ITO像素电极层依次覆盖在所述栅绝缘层上；所述源漏电极层覆盖在所述第一有源层上，且所述源漏电极层仅覆盖部分所述第一有源层，所述第一有源层中被所述源漏电极层覆盖的部分与所述源漏电极层直接接触；所述第二有源层覆盖在所述源漏电极层和所述第一有源层上，且所述第二有源层的一部分与所述源漏电极层直接接触，另一部分与所述第一有源层中未被所述源漏电极层覆盖的部分直接接触；所述保护层覆盖在所述源漏电极层、所述第二有源层和所述ITO像素电极层上，所述公共电极层覆盖在所述保护层上。