[发明专利]具有正电荷阻挡层的金属氧化物薄膜晶管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201610225855.3 | 申请日： | 2016-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN105742172A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李俊;黄传鑫;蒋雪茵;张志林 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有正电荷阻挡层的金属氧化物薄膜晶管器件及其制备方法，依次由基板、栅极、绝缘层、金属氧化物半导体有源层、源极、漏极、钝化层构成底栅结构，并在金属氧化物半导体有源层中间沉积一层厚度为0.5～5nm的正电荷阻挡层，形成复合有源功能层。在本发明薄膜晶管器件的各结构中，采用正电荷阻挡层能有效地抑制在光照偏压下空穴向绝缘层/有源层界面处移动，提升薄膜晶体管器件的稳定性，同时使得金属氧化物薄膜晶体管的迁移率不受影响。这种结构容易实现且制备方法简单，同时还能有效地避免氧化物薄膜在刻蚀过程中造成的损伤。适用于大面积制备，可在基于氧化物薄膜晶体管的平板显示器件中获得广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 正电荷 阻挡 金属 氧化物 薄膜 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有正电荷阻挡层的金属氧化物薄膜晶管器件，其特征在于：依次由基板（1）、栅极（2）、绝缘层（3）、金属氧化物半导体有源层（4）、源极（6）、漏极（7）、钝化层（8）构成底栅结构，并在所述金属氧化物半导体有源层（4）中间沉积一层厚度为0.5～5nm的正电荷阻挡层（5），形成复合有源功能层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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