[发明专利]具有复合有源层的双极型薄膜晶体管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201610225871.2 | 申请日： | 2016-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN105742498A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李俊;傅逸周;蒋雪茵;张志林 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有复合有源层的双极型薄膜晶体管器件及其制备方法，依次由基板、栅极、绝缘层、无机半导体有源层、源极、漏极和有机半导体有源层构成底栅结构，源极和漏极形成同层源漏电极薄膜层，无机半导体有源层和有机半导体有源层位于源漏电极薄膜层两侧，从而形成双极型的薄膜晶体管器件的无机‑有机复合结构有源层。本发明充分结合无机N型半导体材料丰富、迁移率较高且制备方法相对简单的优势和有机P型半导体材料种类比较多、迁移率较高且稳定性较好的优势，结合底栅顶接触结构的特点，很好地避免了有机薄膜晶体管刻蚀过程造成的损伤，合理地运用在双极型薄膜晶体管器件中，实现了N型和P型输出。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 复合 有源 双极型 薄膜晶体管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有复合有源层的双极型薄膜晶体管器件，其特征在于：依次由基板（1）、栅极（2）、绝缘层（3）、无机半导体有源层（4）、源极（5）、漏极（6）和有机半导体有源层（7）构成底栅结构，所述无机半导体有源层（4）的厚度为10～50 nm，所述有机半导体有源层（7）的厚度为10～60 nm，所述源极（5）和漏极（6）形成同层源漏电极薄膜层，所述无机半导体有源层（4）和所述有机半导体有源层（7）位于源漏电极薄膜层两侧，从而形成双极型的薄膜晶体管器件的无机‑有机复合结构有源层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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