[发明专利]一种多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用

摘要

本发明公开一种多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用，该材料由单层Sn2Se3薄膜和单层Sb薄膜交替排列，将一层Sn2Se3薄膜和一层Sb薄膜作为一个交替周期，后一个交替周期的Sn2Se3层沉积在前一个交替周期的Sb层的上方；该薄膜材料的膜结构通式为[Sn2Se3(a)/Sb(b)]x，其中a、b分别表示所述单层Sn2Se3薄膜、单层Sb薄膜的厚度，1nm≤a≤50nm，1nm≤b≤50nm，x表示单层Sn2Se3和单层Sb薄膜的交替周期数或者交替层数，且x为正整数。该相变薄膜材料利用Sb作为结晶诱导层，可以加快相变材料的相变速度，同时结合了Sn2Se3熔点低、热稳定性好的优点；再次，利用多层纳米复合结构中多层界面的夹持效应，可以减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间，抑制晶化，在提高热稳定性的同时加快相变速度。

主权项

1.一种多层纳米复合相变薄膜材料，其特征在于：该材料由单层Sn2Se3薄膜和单层Sb薄膜交替排列，将一层Sn2Se3薄膜和一层Sb薄膜作为一个交替周期，后一个交替周期的Sn2Se3层沉积在前一个交替周期的Sb层的上方；该薄膜材料的膜结构通式为[Sn2Se3(a)/Sb(b)]x，其中a、b分别表示所述单层Sn2Se3薄膜、单层Sb薄膜的厚度，1nm≤a≤50nm，1nm≤b≤50nm，x表示单层Sn2Se3和单层Sb薄膜的交替周期数或者交替层数，且x为正整数。