[发明专利]存储器结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种存储器结构及其制造方法。存储器结构包括一底氧化层、一第一导体层、一第一绝缘凹槽、多个绝缘层、多个第二导体层、一第二绝缘凹槽、一通道层以及一存储层。第一导体层位于底氧化层上。第一绝缘凹槽穿过第一导体层且位于底氧化层上，且第一绝缘凹槽具有一第一宽度。绝缘层位于第一导体层上。第二导体层与绝缘层交错叠层，且第二导体层和第一导体层电性隔离。第二绝缘凹槽穿过绝缘层和第二导体层且位于第一绝缘凹槽上，第二绝缘凹槽具有一第二宽度，且第二宽度大于第一宽度。通道层位于第二绝缘凹槽的至少一侧壁上。存储层位于通道层与第二导体层之间。

主权项

1.一种存储器结构，包括：/n一底氧化层；/n一第一导体层，位于该底氧化层上；/n一第一绝缘凹槽，穿过该第一导体层且位于该底氧化层上，该第一绝缘凹槽具有一第一宽度；/n多个绝缘层，位于该第一导体层上；/n多个第二导体层，与这些绝缘层交错叠层，且和该第一导体层电性隔离；/n一第二绝缘凹槽，穿过这些绝缘层和这些第二导体层且位于该第一绝缘凹槽上，该第二绝缘凹槽具有一第二宽度，该第二宽度大于该第一宽度；/n一通道层，位于该第二绝缘凹槽的至少一侧壁上；以及/n一存储层，位于该通道层与这些第二导体层之间；/n其中该通道层具有一垂直延伸段和一水平延伸段，该水平延伸段位于这些第二导体层之上，该存储器结构更包括：一硬掩模层，位于该通道层上，其中该硬掩模层具有一延伸段，该延伸段位于该通道层的该水平延伸段上，且该硬掩模层的该延伸段的延伸长度大于该通道层的该水平延伸段的延伸长度。/n