[发明专利]半导体装置无效
申请号: | 201610227298.9 | 申请日: | 2016-04-13 |
公开(公告)号: | CN106531880A | 公开(公告)日: | 2017-03-22 |
发明(设计)人: | 大塚雅司 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L43/02 | 分类号: | H01L43/02;H01L43/08 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的实施方式提供一种半导体装置,其既能抑制步骤数的增加,又能获得对半导体芯片的优异的磁屏蔽效果。实施方式的半导体装置具备衬底;磁阻存储器芯片,安装在衬底上;以及密封树脂层,将磁阻存储器芯片密封。磁阻存储器芯片具备磁阻存储器元件层;以及有机树脂层,以覆盖磁阻存储器元件层的至少一部分的方式设置,且含有磁性体粉末。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于具备:衬底;磁阻存储器芯片,安装在所述衬底上;以及密封树脂层,将所述磁阻存储器芯片密封;且所述磁阻存储器芯片具备:磁阻存储器元件层;以及有机树脂层,以覆盖所述磁阻存储器元件层的至少一部分的方式设置,且含有磁性体粉末。
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