[发明专利]一种高发射率面源黑体辐射源及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201610227670.6 申请日: 2016-04-13
公开(公告)号: CN105910714B 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 郝小鹏;孙建平 申请(专利权)人: 中国计量科学研究院
主分类号: G01J5/00 分类号: G01J5/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种高发射率面源黑体辐射源及其制作方法,其包括:底板,该底板用于形成面源黑体的支撑结构;形成于所述底板上的预定数量的锥体,所述锥体按照预定的方式在所述底板上排布;所述锥体与所述底板为一体式结构;相邻锥体之间具有锥槽,所述锥槽为非平凹形。本发明的面源黑体制作简单,节省了加工工艺,降低了成本,且制造方便,便于扩展,能够制成大面积的面源黑体,具有很高的发射率,满足了红外谱段的检定需求。
搜索关键词: 一种 发射 率面源 黑体 辐射源 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种面源黑体辐射源,其包括:底板,该底板用于形成面源黑体辐射源的支撑结构;形成于所述底板上的预定数量的锥体,所述锥体按照预定的方式在所述底板上排布;其特征在于:所述锥体与所述底板为一体式结构,相邻锥体之间具有锥槽,所述锥槽为非平凹形;所述相邻锥 体为第一锥 体和第二锥 体,在所述第二锥体的侧边的底部的下方形成有孔道,所述第二锥体的侧边与第一锥体相邻,该孔道的截面为圆形,圆形孔道位于第二锥体的一个侧边的下端,该圆形孔道与第一锥体的侧边相切,第一锥体靠近锥槽的侧边具有大于第二锥体靠近锥槽的侧边的长度。
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