[发明专利]一种ZnO/ZnS核壳纳米线阵列的制备方法

摘要

本发明一种ZnO/ZnS核壳纳米线阵列的制备方法，以ZnO和石墨粉为原料，放入小瓷舟中，将具有一层Au催化剂的Al2O3为衬底，平放在瓷舟中混合物的表面中央，将瓷舟放入CVD管式炉中，通入流速为10‑15 sccm的氩气，5‑30 min升温至 800~1000℃，保温3‑60 min，然后自然降温，制得ZnO纳米阵列；然后采用双温区管式炉，将上述制备的ZnO纳米阵列放入管式炉的高温区，将装有硫粉的小瓷舟放入低温区，硫化，反应结束后自然降温，即可得到ZnO/ZnS的核壳纳米阵列。本发明的方法能稳定、可控地制备具有高度结晶性的ZnO/ZnS核壳纳米阵列，其工艺简单，成本低，其危险性低且绿色环保。

主权项

1.一种ZnO/ZnS核壳纳米线阵列的制备方法，其特征在于包括如下步骤：一个制备ZnO纳米线阵列步骤，以ZnO和石墨粉为原料，所述的ZnO和石墨粉的质量比为0.3‑3.0，充分研磨混合均匀之后，称取0.5‑1重量份放入瓷舟中，将混合物的表面压平，将具有一层Au催化剂的Al2O3为衬底，平放在小瓷舟中混合物的表面中央，将瓷舟放入尾端敞开的CVD管式炉中，通入流速为10‑15 sccm的氩气，5‑30 min升温至 800~1000℃，保温3‑60 min，然后自然降温，制得ZnO纳米阵列；一个制备ZnO/ZnS核壳纳米阵列的步骤，采用双温区管式炉，将上述制备的ZnO纳米阵列放入管式炉的高温区，将装有质量为0.5‑3 重量份的硫粉的瓷舟放入低温区，高温区的温度控制在300‑500 ℃之间，低温区的温度控制在100‑200 ℃之间，硫化时间为3‑15 min，同时通入10‑40 sccm的氩气为保护气体，产生的尾气通过氢氧化钠溶液进行吸收，反应结束后自然降温，即可得到ZnO/ZnS的核壳纳米阵列； 其中，ZnO纳米线为核，ZnS为壳，ZnS壳钝化ZnO核。