[发明专利]一种抑制有源沟道区光致漏电流产生的MOS管及应用在审
| 申请号： | 201610227996.9 | 申请日： | 2016-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN105742364A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 刘召军;张珂;彭灯;王河深;莫炜静;刘熹;黄茂森 | 申请（专利权）人： | 中山大学;广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L27/105 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种抑制有源沟道区光致漏电流产生的MOS管及应用，其制备过程为：通过离子注入在衬底两端形成源极和漏极。在衬底上表面的中部制备栅氧化层，在栅氧化层上沉积多晶硅或金属形成栅极，在栅极、源极与漏极上方沉积隔离层，并在源极和漏极上方刻蚀出接触孔，以引出源极和漏极，在源极和漏极上方的接触孔上沉积金属，刻蚀漏极上的金属用于隔离开源极和漏极，而源极上的金属直接延伸覆盖过有源沟道区，起到遮挡光线的作用。本发明提出的MOS管有效的遮挡了其上方射入的光线，抑制了光致漏电流的产生，既改善了晶体管的关态特性，也提高了有源寻址驱动电路的工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 有源 沟道 区光致 漏电 流产 mos 应用 | ||
【主权项】：
一种抑制有源沟道区光致漏电流产生的MOS管的制备方法，其制备过程为：通过离子注入在衬底两端形成源极和漏极，在衬底上表面的中部制备栅氧化层，在栅氧化层上沉积多晶硅或金属形成栅极，其特征在于，该制备过程还包括：在栅极、源极与漏极上方沉积隔离层，并在源极和漏极上方刻蚀出接触孔，以引出源极和漏极，在源极和漏极上方的接触孔中沉积金属，刻蚀漏极上接触孔中的金属用于隔离开源极和漏极，而源极上接触中的金属直接延伸覆盖过有源沟道区，起到遮挡光线的作用。
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