[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201610228211.X | 申请日： | 2016-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN106057896B | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 金伦楷;姜明一;郑修然 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/772;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种包括第一有源区和第二有源区的半导体器件。每个有源区包括多个鳍突起和布置在各鳍突起之间的凹进区域。多个栅极结构布置在多个鳍突起中的每一个上。半导体层布置在每个凹进区域中。第一有源区的栅极结构之间的距离与第二有源区的栅极结构之间的距离相同，并且第一凹进区域的半导体层的底表面与第一有源区的鳍突起中的每一个的顶表面之间的高度差小于第二有源区的凹进区域的半导体层的底表面与第二有源区的鳍突起中的每一个的顶表面之间的高度差。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底，其包括第一晶体管区域和第二晶体管区域，其中，所述第一晶体管区域包括：第一有源区，其布置在所述半导体衬底上，并且包括第一鳍突起和布置在各第一鳍突起之间的第一凹进区域；第一栅极结构，其布置在第一鳍突起上；以及第一半导体层，其布置在第一凹进区域中，其中，所述第二晶体管区域包括：第二有源区，其布置在所述半导体衬底上，并且包括第二鳍突起和布置在各第二鳍突起之间的第二凹进区域，并且所述第二有源区与所述第一有源区具有相同的导电类型；第二栅极结构，其布置在第二鳍突起上；以及第二半导体层，其布置在第二凹进区域中，其中，各第一栅极结构之间的距离与各第二栅极结构之间的距离相同，并且其中，所述第二鳍突起中的每一个的顶表面与所述第二凹进区域的底表面之间的高度差大于所述第一鳍突起中的每一个的顶表面与所述第一凹进区域的底表面之间的高度差。
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