[发明专利]TFT基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板及其制作方法，该TFT基板通过对TFT(400)中的有源层(410)的结构进行改进，使得有源层(410)的两侧均具有至少一个台阶，相比于现有技术中的有源层，能够有效减弱有源层(410)两侧的尖端电场集中效应，使有源层(410)中载流子的浓度均匀，控制TFT(400)的输出电性，TFT(400)的质量高，TFT基板的工作稳定性强。本发明的TFT基板的制作方法，能够有效减弱TFT(400)中有源层(410)两侧的尖端电场集中效应，使有源层(410)中的载流子浓度均匀，控制TFT(400)的输出电性，TFT(400)的质量高，TFT基板的工作稳定性强。

主权项

一种TFT基板，其特征在于，包括：衬底基板(100)、及设置在所述衬底基板(100)上的TFT(400)；所述TFT(400)包括：有源层(410)、设置在所述有源层(410)上的栅极绝缘层(420)、设置在所述栅极绝缘层(420)上且水平位置与有源层(410)对应的栅极(430)、设置在所述栅极(430)及栅极绝缘层(420)上的层间介电层(440)、及设置在所述层间介电层(440)上的源极(450)及漏极(460)；沿所述栅极(430)的长度方向，所述有源层(410)至少包括位于中间的第一区域(411)、及位于所述第一区域(411)两侧的第二区域(412)，且所述第一区域(411)的厚度大于第二区域(412)的厚度，使得所述有源层(410)的两侧均具有至少一个台阶。