[发明专利]一种溶液法制备多孔有机半导体薄膜的方法及应用有效
| 申请号： | 201610229122.7 | 申请日： | 2016-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN105842302B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 邱龙臻;吴少华;王庆贺;葛丰;薛战 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 何梅生;卢敏 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种溶液法制备多孔有机半导体薄膜的方法及其应用，其特征在于：将高分子量的有机半导体与低分子量的低聚物溶解在有机溶剂中，获得共混溶液；通过溶液旋涂法将共混溶液旋涂在基底上形成共混薄膜，然后使用合适溶剂将共混薄膜中低分子量的低聚物溶解除去后，即获得多孔有机半导体薄膜。本发明通过溶液法制备多孔薄膜，方法简单、重复性好，对设备和工艺条件的要求较低，适用于大部分高分子半导体多孔薄膜的制备。本发明所得多孔有机半导体薄膜可用在气相传感器中，通过提供一种有效的气体分散通道，可显著提高有机半导体材料对相应气体分析物的检测效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 溶液 法制 多孔 有机半导体 薄膜 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种溶液法制备多孔有机半导体薄膜的方法，其特征在于：将高分子量的有机半导体与低分子量的低聚物溶解在有机溶剂中，获得共混溶液；通过溶液旋涂法将共混溶液旋涂在基底上形成共混薄膜，然后使用合适溶剂将共混薄膜中低分子量的低聚物溶解除去后，即获得多孔有机半导体薄膜；所述高分子量的有机半导体为聚噻吩类聚合物半导体、异靛蓝聚合物及其衍生物系列半导体、或吡咯并吡咯二酮聚合物及其衍生物系列半导体；所述高分子量的有机半导体的结构通式如式(1)所示![]()
所述低分子量的低聚物为结构式如式(2)所示的聚酯类低聚物、或结构式如式(3)所示的聚硅氧烷类低聚物；式(2)中R1、R2各自独立的选自烷基基团或苯环；式(3)中R1、R2各自独立的选自烷基基团；![]()
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所述合适溶剂是指可溶解低分子量的低聚物、且不溶解高分子量的有机半导体的溶剂；当所述高分子量的有机半导体为聚噻吩类聚合物半导体时，式(1)中A和B的结构式皆如式(4)所示，式中R为烷基类侧链，且A和B的结构式中R各自独立；![]()
当所述高分子量的有机半导体为异靛蓝聚合物及其衍生物系列半导体时，式(1)中A的结构式如式(5)或式(6)所示，B的结构式如式(7)、式(8)、式(9)所示，式(7)中R为烷基类侧链；![]()
当所述高分子量的有机半导体为吡咯并吡咯二酮聚合物及其衍生物系列半导体时，式(1)中A的结构式如式(10)或式(11)所示，B的结构式如式(12)、式(13)、式(14)或式(15)所示；![]()
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