[发明专利]一种硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制方法有效
| 申请号： | 201610229174.4 | 申请日： | 2016-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN105887187B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 张俊宝;宋洪伟 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201604 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明技术提供一种硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制方法，将多晶硅在高纯石英模具中铸造成一个多晶浸溶筒，多晶硅浸溶筒上部分为一个环形的上盖，与热屏连接，下部为一个圆筒形状的浸溶部分，具有通孔。多晶硅中含有与目标成分相同的掺杂元素。多晶浸溶筒在熔体表面烘烤到1400℃以上后，在晶体等径生长过程中浸入到硅熔体中熔体，并采用振荡提高熔化均匀性，熔化量的速度与晶体的生长速度相同。浸溶筒在浸溶的过程中，进行上下的振荡，振荡使熔化均匀，同时也使熔体中的氧更加容易挥发。晶体生长过程中，硅熔体的液面保持不变，热场稳定。晶体生长后，晶体中的掺杂元素浓度在加入浸入过程后，保持相同。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶 生长 掺杂 浓度 稳定 控制 技术 | ||
【主权项】：
1.一种硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制方法，将多晶硅在高纯石英模具中铸造成一个多晶浸溶筒，多晶硅浸溶筒上部分为一个环形的上盖，与热屏连接，下部为一个圆筒形状的浸溶部分，具有通孔；多晶硅中含有与目标成分相同的掺杂元素；多晶浸溶筒在熔体表面烘烤到1400℃以上后，在晶体等径生长过程中浸入到硅熔体中熔体，熔化过程中采用振荡提高熔化均匀性，熔化量的速度与晶体的生长速度相同。/n
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