[发明专利]像素结构与其制造方法

摘要

本发明提供一种像素结构与其制造方法，该像素结构包括扫描线、数据线、主动元件、像素电极。扫描线及数据线位于基板上。主动元件位于基板上，包括凸起物、栅极、半导体层、栅极绝缘层、源极以及漏极。凸起物具有上表面与位于上表面周边的多个侧表面。栅极覆盖凸起物且电连接扫描线。半导体层位于凸起物的上表面以及侧表面。栅极绝缘层位于栅极与半导体层之间。源极位于凸起物的至少一侧表面，与半导体层接触并电连接数据线。漏极位于凸起物的上表面上并与半导体层接触，漏极未覆盖位于凸起物的上表面与侧表面之间的转角部上的半导体层。像素电极电连接主动元件。本发明可在不损失像素结构开口率的同时，提升像素结构通道宽度与通道长度的比值。

主权项

1.一种像素结构，其特征在于，包括：一扫描线以及一数据线，位于一基板上；一主动元件，位于该基板上且包括：一凸起物，位于该基板上且具有一上表面以及位于该上表面周边的多个侧表面；一栅极，覆盖该凸起物，且与该扫描线电连接；一半导体层，位于该凸起物的该上表面以及所述侧表面；一栅极绝缘层，位于该栅极与该半导体层之间；一源极，位于该凸起物的至少一侧表面，并且与该半导体层接触，且该源极与该数据线电连接；一漏极，位于该凸起物的该上表面上并与该半导体层接触，其中该漏极未覆盖该凸起物的该上表面与所述侧表面之间的转角部上的该半导体层；以及一像素电极，与该主动元件的该漏极电连接。