[发明专利]包括晶体管的半导体器件

摘要

本发明涉及包括晶体管的半导体器件。该半导体器件在具有第一主表面的半导体本体中包括晶体管(10)。晶体管(10)包括：第一导电类型的源极区域(201)；漏极区域(205)；第二导电类型的本体区域(230)，第二导电类型与第一导电类型不同；以及栅极电极(210)，该栅极电极设置于在与第一主表面平行的第一方向上延伸的栅极沟槽(212)中。本体区域(230)和漏极区域(205)沿着该第一方向而布置。本体区域(230)包括沿着该第一方向延伸的第一脊(220)，第一脊(220)设置在半导体本体中的相邻的栅极沟槽(212)之间。本体区域(230)还包括第二脊(221)。第二脊(221)的宽度大于第一脊(220)的宽度，这些宽度是在与该第一方向垂直的第二方向上测量的。

主权项

1.一种半导体器件(1)，所述半导体器件在具有第一主表面的半导体本体中包括晶体管(10)，所述晶体管(10)包括：第一导电类型的源极区域(201)；漏极区域(205)；第二导电类型的本体区域(230)，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同；以及栅极电极(210)，所述栅极电极设置于在与所述第一主表面平行的第一方向上延伸的分开的各个栅极沟槽(212)中，所述源极区域(201)、所述本体区域(230)和所述漏极区域(205)沿着所述第一方向而设置，所述本体区域(230)图案化为第一脊(220)和第二脊(221)，第一脊和第二脊中的每一个均沿着所述第一方向延伸，其中，所述第一脊(220)中的第一个设置在第一相邻的栅极沟槽(212)之间，所述第一脊中的第二个设置在第二相邻的栅极沟槽之间，第二脊设置在所述第一相邻的栅极沟槽中的最邻近的一个与所述第二相邻的栅极沟槽中的最邻近的一个之间，其中，所述第二脊(221)的宽度大于所述第一脊(220)的宽度，所述宽度是在与所述第一方向垂直的第二方向上测量的。