[发明专利]铁酸镧薄膜光电极及其制备方法在审
| 申请号： | 201610230735.2 | 申请日： | 2016-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN105761940A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 付群;刘士勤;明杰;陈瑶;王聿曦;王智杰;雷勇;吴明红 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;H01G9/042 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铁酸镧薄膜光电极及其制备方法。该铁酸镧薄膜光电极，由导电基底和铁酸镧薄膜电极层构成，所述的铁酸镧薄膜电极层均匀地涂覆于导电基底上，所述的铁酸镧薄膜电极层的厚度为700～750nm。本发明具有制备工艺简单，成本低廉，重复性好等优点。本发明制备的铁酸镧薄膜光电极具有良好的稳定性和良好的光电化学性能，能够在光电催化产氢领域取得更好的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 铁酸镧 薄膜 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铁酸镧薄膜光电极，由导电基底和铁酸镧薄膜电极层构成，其特征在于导电基底为不锈钢或FTO导电玻璃或ITO导电玻璃等导电薄片，所述的铁酸镧薄膜电极层均匀地涂覆于导电基底上，所述的铁酸镧薄膜电极层的厚度为700～750nm。
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