[发明专利]一种低温烧结的导电陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610231281.0 | 申请日： | 2016-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN105924150B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 黄新友;王琪琳;黄豪;李军;高春华 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | C04B35/457 | 分类号： | C04B35/457 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及导电氧化物，特指一种低温烧结的导电陶瓷材料及其制备方法。其配方为：SnO291～98wt.％，Sb2O3 0.1～6.0wt.％，Bi2WO30.01～2wt.％,Ba(Yb1/2Nb1/2)O30.1～4wt.％，SiO2‑Li2O‑B2O3玻璃粉(SLB)0.1～2.8wt.％。所制备的导电陶瓷材料导电性能好，电阻率小于10mΩ·cm；体积密度较高，为5.9g/cm3以上；烧结温度较低，烧结温度不大于1250℃；该导电陶瓷适合于制备玻璃电熔窑炉用高性能电极材料和利用磁控溅射制备导电薄膜的陶瓷靶材。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 烧结 导电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低温烧结的导电陶瓷材料，其特征在于，所述导电陶瓷材料配方组成为：SnO2 91～98wt.％，Sb2O3 0.1～6.0wt.％，Bi2WO6 0.01～2wt.％，Ba(Yb1/2Nb1/2)O3 0.1～4wt.％，SiO2‑Li2O‑B2O3玻璃粉，简称SLB，0.1～2.8wt.％。
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