[发明专利]一种微扫描仪及其GaN基LED光源的制备方法有效
申请号: | 201610231290.X | 申请日: | 2016-04-14 |
公开(公告)号: | CN105827892B | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 胡芳仁;张雪花 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | H04N1/04 | 分类号: | H04N1/04;H04N1/024;H01L33/00 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 许方 |
地址: | 210023 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种微扫描仪及其GaN基LED光源的制备方法,其特征是:所述的微扫描仪为单一结构,包括:GaN基LED光源、静电MEMS微执行器、MEMS微扭杆、p‑GaN电极、透镜。其中,GaN基LED光源生长在一个Si衬底上,透镜设置于GaN基LED光源上面,静电MEMS微执行器包括齿间相互交叉接触的固定齿梳和可动齿梳,MEMS微扭杆连接在静电MEMS微执行器上。使用时,通过静电MEMS微执行器带动微扭杆的转动,进而带动LED光源的转动进行扫描。本发明系统结构简单,易于校准和组装,使用携带方便。更加适合应用于便携式扫描仪中。 | ||
搜索关键词: | 一种 扫描仪 及其 gan led 光源 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种微扫描仪,其特征在于:所述的微扫描仪为单一结构,其构件包括:GaN基LED光源(2)、静电MEMS微执行器(3)、MEMS微扭杆(4)、p‑GaN电极(5)、透镜(6),所述的GaN基LED光源(2)生长在一个Si衬底(1)上;所述的透镜(6)设置于所述的GaN基LED光源(2)上面;所述的静电MEMS微执行器(3)包括齿间相互交叉接触的固定齿梳(12)和可动齿梳(13);所述的MEMS微扭杆(4)连接在所述的静电MEMS微执行器(3)上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京邮电大学,未经南京邮电大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610231290.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。