[发明专利]一种超晶格层的生长方法及含此结构的LED外延结构

摘要

本发明公开了一种超晶格层的生长方法，包括周期性生长10‑18个单件，所述单件由下至上依次包括InxMg(1‑x)N层和SixAl(1‑x)N层或者SixAl(1‑x)N和InxMg(1‑x)N层，其中x＝0.20‑0.25。本发明还公开了一种包括上述超晶格层的LED外延结构。本发明采用超晶格层，利用GaN的高能带作为势磊阻挡电子过快由N层传播到发光层，纵向传播比较拥挤的电子遇到GaN能带的阻挡适当的横向扩散开来；同时超晶格层形成高浓度的二维电子气，二维电子气的横向迁移率很高，加速了电子的横向扩展，宏观上电流通过超晶格层时被有效地扩展开来，随之改善的是发光层电流的分布变得均匀，从而使得LED各方面的性能能够得到提升。

主权项

一种超晶格层的生长方法，其特征在于，包括周期性生长10‑18个单件，所述单件由下至上依次包括InxMg(1‑x)N层和SixAl(1‑x)N层或者SixAl(1‑x)N和InxMg(1‑x)N层：所述InxMg(1‑x)N层的生长步骤具体是：保持反应腔压力为750‑900mbar、温度为1000‑1100℃，通入流量为40000‑50000sccm的NH3、1000‑1200sccm的TMIn、110‑130L/min的H2以及800‑900sccm的Cp2Mg，生长厚度为10‑20nm的InxMg(1‑x)N层；所述SixAl(1‑x)N层的生长步骤具体是：保持反应腔压力为750‑900mbar、温度为1000‑1100℃，通入流量为40000‑50000sccm的NH3、110‑130L/min的H2、200‑250sccm的TMAl以及40‑55sccm的SiH4，生长厚度为10‑20nm的SixAl(1‑x)N层，Si的掺杂浓度为1E18‑5E18atom/cm3；其中：x＝0.20‑0.25。