[发明专利]羟基碳酸钴薄膜超级电容器电极材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610232255.X 申请日: 2016-04-14
公开(公告)号: CN105914046B 公开(公告)日: 2018-07-27
发明(设计)人: 熊信柏;张家元;马俊;曾燮榕;钱海霞;邹继兆 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: H01G11/24 分类号: H01G11/24;H01G11/30;H01G11/86
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 张全文
地址: 518000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及超级电容器电极材料技术领域,具体公开了一种羟基碳酸钴薄膜超级电容器电极材料的制备方法。所述方法至少包括以下步骤:将泡沫镍进行清洗、酸浸泡并超声清洗,干燥待用;将泡沫镍作为阴极,置于反应釜中,在水热条件下进行水热电沉积反应;其中,所述水热电沉积的溶液包括浓度大于0M且不大于0.05M的Co(NO3)2.6H2O、浓度大于0M且不大于0.024M的NH4F及浓度大于0M且不大于0.25M的尿素;所述水热电沉积反应的温度为90~120℃;所述水热电沉积反应的电压为0.9~1.3V。本发明上述实施例提供的羟基碳酸钴薄膜超级电容器电极材料的制备方法,可以获得结合力强的羟基碳酸钴薄膜,将其作为超级电容器的电极时,表现出优异的循环特性。
搜索关键词: 羟基 碳酸 薄膜 超级 电容器 电极 材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种羟基碳酸钴薄膜超级电容器电极材料的制备方法,至少包括以下步骤:将泡沫镍依次用丙酮、无水乙醇、去离子水分别超声清洗至少15分钟,然后将所述泡沫镍放入0.005~0.01M的HCl中浸泡至少2h后,取出超声清洗,干燥待用;将泡沫镍作为阴极,置于反应釜中,在水热条件下进行水热电沉积反应;其中,所述水热电沉积的溶液包括浓度大于0M且不大于0.05M的Co(NO3)2.6H2O、浓度大于0M且不大于0.024M的NH4F及浓度大于0M且不大于0.25M的尿素;所述水热电沉积反应的温度为90~120℃;所述水热电沉积反应的电压为0.9~1.3V,所述水热电沉积反应的时间为1~3h。
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