[发明专利]金属氧化物半导体晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 201610232295.4 | 申请日： | 2016-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN105870021A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 詹奕鹏;张超;周儒领;张庆勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 梁少微;王丽琴 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属氧化物半导体晶体管的制作方法，包括：提供一定义有有源区的半导体衬底，在有源区的半导体衬底表面上依次形成栅氧化层和多晶硅栅极；在所述多晶硅栅极的两侧形成栅极轻掺杂掩蔽层；以多晶硅栅极和栅极轻掺杂掩蔽层为掩膜对半导体衬底进行离子注入，形成轻掺杂漏区；在所述栅极轻掺杂掩蔽层的侧面形成侧壁层；以多晶硅栅极、栅极轻掺杂掩蔽层以及侧壁层为遮蔽，在栅极两侧的半导体衬底表面沉积形成第二层多晶硅层；透过第二层多晶硅层，进行源漏离子注入，在半导体衬底中形成源漏极。采用本发明的方案可以减小MOS管的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体晶体管的制作方法，包括：提供一定义有有源区的半导体衬底，在有源区的半导体衬底表面上依次形成栅氧化层和多晶硅栅极；在所述多晶硅栅极的两侧形成栅极轻掺杂掩蔽层；以多晶硅栅极和栅极轻掺杂掩蔽层为掩膜对半导体衬底进行离子注入，形成轻掺杂漏区；在所述栅极轻掺杂掩蔽层的侧面形成侧壁层；以多晶硅栅极、栅极轻掺杂掩蔽层以及侧壁层为遮蔽，在栅极两侧的半导体衬底表面沉积形成第二层多晶硅层；透过第二层多晶硅层，进行源漏离子注入，在半导体衬底中形成源漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
