[发明专利]存储装置及其制造方法

摘要

一种存储装置及其制造方法。该方法包括：在衬底上交替堆叠多个隔离层和多个牺牲层；图案化多个隔离层和所述多个牺牲层以形成开口；在开口中形成下选通管的沟道；在开口中且在下选通管的沟道上形成多个存储单元的存储复合层和沟道层；在开口中且在多个存储单元的存储复合层和沟道层上形成上选通管的沟道；去除多个牺牲层以形成第一凹部、多个第二凹部以及第三凹部；在第一凹部中形成下选通管的栅绝缘层并且在第三凹部中形成上选通管的栅绝缘层；以及在第一凹部中形成下选通管的栅极，在多个第二凹部中形成多个存储单元的控制栅极，并在第三凹部中形成上选通管的栅极。

主权项

一种存储装置的制造方法，该存储装置包括衬底以及由下至上依次形成在所述衬底上的下选通管、多个存储单元和上选通管，其中所述方法包括：提供所述衬底；在所述衬底上交替堆叠多个隔离层和多个牺牲层；图案化所述多个隔离层和所述多个牺牲层，以形成开口；在所述开口中形成所述下选通管的沟道；在所述开口中且在所述下选通管的沟道上形成所述多个存储单元的存储复合层和沟道层，其中所述多个存储单元的存储复合层位于所述多个存储单元的沟道层和所述开口的侧壁之间；在所述开口中且在所述多个存储单元的存储复合层和沟道层上形成所述上选通管的沟道；去除所述多个牺牲层以形成第一凹部、多个第二凹部以及第三凹部，其中所述第一凹部露出所述下选通管的沟道，所述多个第二凹部露出所述多个存储单元的存储复合层，并且所述第三凹部露出所述上选通管的沟道；在所述第一凹部中形成所述下选通管的栅绝缘层并且在所述第三凹部中形成所述上选通管的栅绝缘层；以及在所述第一凹部中形成所述下选通管的栅极，在所述多个第二凹部中形成所述多个存储单元的控制栅极，并在所述第三凹部中形成所述上选通管的栅极。