[发明专利]背结N型晶体硅太阳能电池及其制备方法和组件、系统

摘要

本发明涉及一种背结N型晶体硅太阳能电池及其制备方法和组件、系统。本发明的一种背结N型晶体硅太阳能电池的制备方法，对N型晶体硅基体进行处理，然后在N型晶体硅基体的背表面形成穿透钝化膜的槽状结构，在N型晶体硅基体的背表面印刷银浆和铝浆分别形成背面银主栅电极和背面铝电极；在N型晶体硅基体的正表面使用金属丝制备与n+掺杂区域欧姆接触的正面电极。其有益效果是：本发明得到的电池结构可提高电池的开路电压，同时还能够极大的减少电池的银浆消耗，从而降低电池片的制作成本。通过设置金属丝来形成副栅，在保证金属丝副栅线电阻不增加的情况下，极大的减少电池的银浆消耗，从而降低电池片的制作成本。

主权项

一种背结N型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：对N型晶体硅基体进行处理，在N型晶体硅基体的正表面形成依次从内到外的n+掺杂区域和正表面钝化减反膜；在N型晶体硅基体的背表面形成依次从内到外的p+掺杂区域和背表面钝化膜；在N型晶体硅基体的背表面形成穿透钝化膜的槽状结构，然后在N型晶体硅基体的背表面印刷铝浆填充槽状结构形成背面铝电极，印刷银浆形成背面银主栅电极；在N型晶体硅基体的正表面使用金属丝制备与所述n+掺杂区域欧姆接触的正面电极。