[发明专利]一种太阳能电池结构在审
申请号: | 201610234952.9 | 申请日: | 2016-04-14 |
公开(公告)号: | CN105845747A | 公开(公告)日: | 2016-08-10 |
发明(设计)人: | 董友强 | 申请(专利权)人: | 董友强 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 冯筠 |
地址: | 528100 广东省佛山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种太阳能电池结构,自上而下依次包括银电极、减反射膜、透明导电层、N型扩散层、P型硅衬底、P+扩散层、背面钝化层和铝背场,其中所述减反射膜包括层叠的底层二氧化硅薄膜、中间层氮化硅薄膜以及表层氮化硅薄膜,所述透明导电层包括层叠的第一石墨烯层、金属纳米薄膜层以及第二石墨烯层,所述背面钝化层包括层叠的氧化铝钝化膜、氮氧化硅钝化膜以及氮化硅介质膜,并在所述背面钝化层中设有若干槽,铝背场填充所述槽并覆盖所述背面钝化层的表面。本发明更进一步提高了太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 结构 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池结构,其特征在于:自上而下依次包括银电极、减反射膜、透明导电层、N型扩散层、P型硅衬底、P+扩散层、背面钝化层和铝背场,其中所述减反射膜包括层叠的底层二氧化硅薄膜、中间层氮化硅薄膜以及表层二氧化硅薄膜,所述透明导电层包括层叠的第一石墨烯层、金属纳米薄膜层以及第二石墨烯层,所述背面钝化层包括层叠的氧化铝钝化膜、氮氧化硅钝化膜以及氮化硅介质膜,并在所述背面钝化层中设有若干槽,铝背场填充所述槽并覆盖所述背面钝化层的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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