[发明专利]一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途有效
| 申请号： | 201610235084.6 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN107301879B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 黄晓东;黄见秋 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G11C19/28 | 分类号： | G11C19/28;H01L29/786 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 吴旭 |
| 地址： | 214135 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途，薄膜晶体管的顶栅、阻挡层、存储层、隧穿层及沟道层构成了顶栅型存储器；薄膜晶体管的沟道层、底栅氧化层及底栅构成了底栅型TFT。通过对顶栅型存储器进行操作实现非易失性存储器的“编程/擦除”操作，通过对底栅型TFT进行操作实现非易失性存储器的“读”操作。“编程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“读”操作的分离，提升了存储器的存储窗口、可靠性以及工作速度等的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阈值 电压 可调 薄膜晶体管 作为 非易失性存储器 用途 | ||
【主权项】：
一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途，对阈值电压可调的薄膜晶体管的顶栅施加电压来实现非易失性存储器的“编程/擦除”操作，对阈值电压可调的薄膜晶体管的底栅施加电压来实现非易失性存储器的“读”操作，底栅氧化层的等效氧化层厚度TBOX、沟道层的等效氧化层厚度TIGZO以及顶栅氧化层的等效氧化层厚度TTOX满足条件：3>TBOX/(TTOX+TIGZO)>1，所述沟道层为铟镓锌氧化物。
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