[发明专利]一种锰硅纳米线红外探测器及其制作方法在审
| 申请号： | 201610235400.X | 申请日： | 2016-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN105841823A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 董友强 | 申请（专利权）人： | 董友强 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20;G01J3/28;G01J1/42;H01L31/0352;H01L31/107;H01L31/108;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 冯筠 |
| 地址： | 528100 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锰硅纳米线红外探测器，所述锰硅纳米线红外探测器包括P型外延硅衬底层、锰硅薄膜光敏层、P型多晶硅盖帽层、减反射膜层，P型外延硅衬底层、锰硅薄膜光敏层、P型多晶硅盖帽层、减反射膜层依次层叠在一起；所述锰硅薄膜光敏层即为锰硅纳米线；所述锰硅纳米线红外探测器的工作模式采用正照方式。本发明的有益技术效果是：利用锰硅纳米线可增加吸收率，同时，锰硅纳米线顶端存在极大的边缘场，产生雪崩倍增效应，大幅度提高锰硅红外探测器的量子效率；增加P型多晶硅盖帽层，可使光生热空穴的逃逸机率增加一倍，并且阻止了减反射膜层内的可动电荷与光生自由电子交换，降低锰硅红外探测器的噪声及暗电流；探测器采用正照方式，大幅简化了封装工艺，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 红外探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种锰硅纳米线红外探测器，其特征在于：所述锰硅纳米线红外探测器包括P型外延硅衬底层(2)、锰硅薄膜光敏层(3)、P型多晶硅盖帽层(4)、减反射膜层(5)，P型外延硅衬底层(2)、锰硅薄膜光敏层(3)、P型多晶硅盖帽层(4)、减反射膜层(5)依次层叠在一起；所述锰硅薄膜光敏层(3)即为锰硅纳米线；所述锰硅纳米线红外探测器的工作模式采用正照方式。
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