[发明专利]一种三明治结构多层薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201610235542.6 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN105924153A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 廖家轩;王思哲;徐自强;吴孟强;冯婷婷;巩峰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;C04B35/47 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种三明治结构多层薄膜及其制备方法，属于功能材料技术领域。所述三明治结构多层薄膜包括薄膜A、薄膜B交替形成的(2n+1)层薄膜；当所述薄膜A为KMgBST或BST薄膜时，所述薄膜B为ST薄膜；当所述薄膜A为ST薄膜时，所述薄膜B为KMgBST或BST薄膜；所述BST薄膜、KMgBST薄膜和ST薄膜的厚度为80～160nm。本发明多层薄膜在低偏压下具有高调谐率和低介电损耗的优异综合介电性能，在高偏压下具有高的绝缘强度和长的使用寿命；且本发明中ST层薄膜能为BST薄膜提供形核位置，促进薄膜形核生长，为下一层薄膜的生长提供模板，从而形成致密的非晶结构及良好的表面形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三明治 结构 多层 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三明治结构多层薄膜，包括薄膜A、薄膜B交替形成的(2n+1)层薄膜；当所述薄膜A为KMgBST或BST薄膜时，所述薄膜B为ST薄膜；当所述薄膜A为ST薄膜时，所述薄膜B为KMgBST或BST薄膜；所述BST薄膜、KMgBST薄膜和ST薄膜的厚度为80～160nm。
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