[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目标是提供一种具有掩埋铜布线的半导体器件，该掩埋铜布线具有提高的可靠性。包括多孔低k膜的层间绝缘膜，在其布线沟槽中具有布线。该布线具有形成在布线沟槽的底面和侧壁上的第一势垒导体膜，形成在第一势垒导体膜上的第二势垒导体膜，和形成在第二势垒导体膜上的且主要由铜组成的主导体膜。第一势垒导体膜和第二势垒导体膜由相同的导体材料制成，但第一势垒导体膜的密度低于第二势垒导体膜的密度。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；层间绝缘膜，所述层间绝缘膜形成在所述半导体衬底上方；以及布线，所述布线掩埋在所述层间绝缘膜的布线沟槽中，其中所述布线包括：第一势垒导体膜，所述第一势垒导体膜形成在所述布线沟槽的底面和侧壁上方；第二势垒导体膜，所述第二势垒导体膜形成在所述第一势垒导体膜上方；以及主导体膜，所述主导体膜形成在所述第二势垒导体膜上方并且具有作为主要成分的铜，其中所述层间绝缘膜包括多孔低介电常数绝缘膜，其中所述第一势垒导体膜和所述第二势垒导体膜具有相同的导体材料，以及其中所述第一势垒导体膜的密度低于所述第二势垒导体膜的密度。