[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置有效
| 申请号： | 201610236042.4 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN106531639B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 高野勇佑;渡部武志 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L21/56;H01L23/13;H01L23/29 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种在外观检查步骤中容易发现不良的半导体装置的制造方法及半导体装置。实施方式的半导体装置的制造方法包括将半导体芯片搭载于衬底的第1面上，所述衬底具有第1面、位于该第1面的相反侧的第2面及侧面，所述侧面位于所述第1面与所述第2面之间。在半导体芯片上形成树脂部，所述树脂部将半导体芯片的第1面密封。在树脂部的上表面上及树脂部的侧面上，形成导电性膜，所述导电性膜电连接于接地电位源。在含氧或氮的环境中，使金属在导电性膜上成膜，由此在导电性膜上形成金属氧化膜或金属氮化膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：/n将半导体芯片搭载于具有第1面、位于该第1面的相反侧的第2面及侧面的衬底的所述第1面上，所述侧面位于所述第1面与所述第2面之间；/n在所述半导体芯片上形成树脂部，所述树脂部将所述半导体芯片的所述第1面密封；/n在所述树脂部的上表面上及所述树脂部的侧面上，形成导电性膜，所述导电性膜电连接于接地电位源；以及/n在含氧或氮的环境中，使金属成膜，由此以使表面成为金属氧化膜或金属氮化膜的方式在所述导电性膜上形成积层了多个材料的保护膜；/n所述金属氧化膜或所述金属氮化膜的亮度，与所述树脂部的亮度为相同程度或者低于所述树脂部的亮度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
