[发明专利]P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法有效
| 申请号： | 201610236397.3 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN105845733B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 陈静;吕凯;罗杰馨;柴展;何伟伟;黄建强;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 姚艳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，包括衬底结构，PMOS器件及PN结器件；PN结器件的N区与PMOS器件的体接触区连接，PN结器件的P区与PMOS器件的栅连接。在N型本征区中进行两次P型重掺杂分别形成PMOS器件的源、漏区和PN结器件，再进行N型重掺杂形成PMOS器件的体接触区；在沟道区上方依次形成栅氧化层、多晶硅层，对多晶硅层进行P型重掺杂形成栅；通过通孔和金属将PMOS器件的栅和PN结器件的P区相连。本发明通过在栅体连接通路上形成一个反偏PN结，来提升体接触区电压、降低阈值电压、提高驱动电流，实现工作电压的提高，扩展了P型动态阈值晶体管在低功耗电路设计领域的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 阈值 晶体管 制备 方法 提高 工作 电压 | ||
【主权项】：
1.一种P型动态阈值晶体管，其特征在于，所述P型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，位于所述衬底结构上的PMOS器件及PN结器件；所述PN结器件的N区与所述PMOS器件的体接触区连接，所述PN结器件的P区与所述PMOS器件的栅连接；其中，所述PMOS器件的体接触区为N型重掺杂区，所述PN结器件的N区为N型轻掺杂区，所述PN结器件的P区为P型重掺杂区；所述PMOS器件的栅包括P型重掺杂区及隔离区，所述隔离区靠近所述体接触区，其中所述隔离区为未掺杂的多晶硅层。
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