[发明专利]一种碲镉汞器件埋结工艺

摘要

本发明公开了一种碲镉汞器件埋结方法，该方法是在光刻注入孔后，采用湿法腐蚀方法在碲镉汞薄膜上制备腐蚀坑后直接生长离子注入阻挡层并进行离子注入，最终在碲镉汞腐蚀坑内部制备p‑n结。本发明通过腐蚀和离子注入共用一次光刻窗口的方法，将p‑n结精确注入至腐蚀孔内部，避免了两次光刻造成的注入偏差问题，简化了操作步骤，并且离子注入前光刻胶上覆盖的ZnS阻挡层减弱了离子注入对光刻胶的改性作用，使光刻胶去除更加方便。

主权项

一种碲镉汞器件埋结工艺，其特征在于包括以下步骤：(1)碲镉汞材料清洗，然后采用光刻技术，在碲镉汞材料表面制备用于限定离子注入区域的光刻胶掩膜；(2)利用湿化学腐蚀的方法，腐蚀光刻胶掩膜图形限定的区域内碲镉汞材料形成腐蚀坑，腐蚀深度为0.5～3.0μm，腐蚀液为氢溴酸和溴溶液的混合液，体积比为50:1～200:1，腐蚀时间5～50秒；(3)在样品表面热蒸发一层ZnS厚度为薄膜后进行离子注入，离子注入能量为100～300Kev，注入剂量为：1×1015～5×1015cm－2；(4)利用有机溶剂丙酮、酒精将光刻胶掩膜去掉，利用盐酸将腐蚀坑内ZnS腐蚀后再进行钝化膜、金属化接触孔、金属电极、和互连铟柱的制备。