[发明专利]晶片的分割方法

摘要

晶片的分割方法。将晶片有效地分割成各个芯片。该分割方法，该方法包括：保护膜形成工序，其在晶片(W)的正面(Wa)形成水溶性保护膜(6a)；掩模形成工序，其沿着切割道(S)去除水溶性保护膜(6a)而形成蚀刻掩模；等离子蚀刻工序，其隔着由水溶性保护膜(6a)构成的掩模对切割道(S)部分进行等离子蚀刻；保护膜去除工序，其向水溶性保护膜(6a)供给清洗水而去除保护膜。在进行等离子蚀刻之后去除保护膜时，仅从水供给部(31)向水溶性保护膜(6a)供给清洗水，能够从晶片(W)的正面(Wa)容易地去除水溶性保护膜(6a)。因此，无需例如抗蚀剂膜形成装置、抛光装置等的各种设备，能够抑制成本，将晶片(W)有效地分割成各个芯片。

主权项

一种晶片的分割方法，沿着多个切割道分割晶片，该晶片在正面形成有上述多个切割道，并在由上述多个切割道划分出的各区域形成有器件，该分割方法包括：保护膜形成工序，在晶片的正面形成水溶性保护膜；掩模形成工序，沿着上述切割道去除上述水溶性保护膜，形成蚀刻掩模；等离子蚀刻工序，隔着上述蚀刻掩模对上述切割道的部分进行等离子蚀刻；保护膜去除工序，向上述水溶性保护膜供给清洗水而去除上述水溶性保护膜；带粘贴工序，在上述保护膜去除工序之后，在上述晶片的正面侧粘贴保护带；及磨削工序，对上述晶片的背面进行磨削。