[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供表面形成有鳍部的衬底；形成横跨鳍部的栅极结构；在栅极结构两侧的鳍部内形成凹槽；形成填充满凹槽的应力层，应力层包括位于凹槽底部和侧壁的第一应力层、第一应力层表面的第二应力层、以及第二应力层顶部的第三应力层，其中，第一应力层和第三应力层适用于抑制第二应力层内离子的扩散；在应力层内形成源区或漏区。本发明使第一应力层和第三应力层包夹第二应力层，防止第二应力层内的离子横向扩散进器件的沟道区，从而可以更好地抑制短沟道效应；此外，还可以防止第二应力层内的离子在纵向方向上向应力层顶部表面扩散，从而可以防止应力层表面阻值增大的现象，进而提高半导体器件的电学性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有鳍部；形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和侧壁表面；刻蚀去除位于所述栅极结构两侧的部分厚度鳍部，在所述鳍部内形成凹槽；形成填充满所述凹槽的应力层，所述应力层为叠层结构，包括位于所述凹槽底部和侧壁的第一应力层、位于所述第一应力层表面的第二应力层、以及位于所述第二应力层顶部的第三应力层，其中，所述第一应力层和第三应力层适用于抑制所述第二应力层内离子的扩散；在所述应力层内形成源区或漏区。