[发明专利]一种提高场效应晶体管式气体传感器灵敏度的方法在审
| 申请号： | 201610237370.6 | 申请日： | 2016-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN105675692A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 塔力哈尔·夏依木拉提;李文亮;彭敏;冯艳;谢宁 | 申请（专利权）人： | 塔力哈尔·夏依木拉提 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐宁;孙楠 |
| 地址： | 830024 新疆维吾尔自*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高场效应晶体管式气体传感器灵敏度的方法，它包括以下步骤：1)制备半导体材料，然后制作场效应晶体管气体传感器；2)把场效应晶体管气体传感器放入气体中；3)通过测试仪获得场效应晶体管气体传感器的转移曲线；4)在场效应晶体管传感器的转移曲线中，通过计算在获得同一浓度气体，不同栅极偏压下，场效应晶体管式气体传感器的灵敏度；5)在相同浓度的气体中，选取场效应晶体管气体传感器的灵敏度最高所对应的栅极偏压，该栅极偏压提高场效应晶体管气体传感器的灵敏度。本发明不用改变场效应晶体管式气体传感器结构，也不需要复杂的工艺流程，就可以提高场效应晶体管式气体传感器的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 场效应 晶体管 气体 传感器 灵敏度 方法 | ||
【主权项】：
一种提高场效应晶体管式气体传感器灵敏度的方法，其特征在于：它包括以下步骤：1)制备半导体材料，然后制作场效应晶体管气体传感器；2)把场效应晶体管气体传感器放入气体中；3)通过测试仪获得场效应晶体管气体传感器的转移曲线；4)在场效应晶体管传感器的转移曲线中，通过计算获得在同一浓度气体，不同栅极偏压下，场效应晶体管式气体传感器的灵敏度S；5)在相同浓度的气体中，选取场效应晶体管气体传感器的灵敏度最高所对应的栅极偏压。
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