[发明专利]一种掺硼金刚石刻蚀的方法

摘要

本发明公开了一种掺硼金刚石刻蚀的方法，涉及新型电子材料工艺技术，采用超高真空磁控溅射镀膜机和直流电弧等离子体喷射CVD设备制备，首先采用磁控溅射法溅射镍纳米颗粒，在以镍纳米颗粒作为催化剂等离子刻蚀掺硼金刚石，制得目标产品。本发明的优点是：该多孔金刚石比较容易被加工成型，在新型电子功能材料走向实际应用的过程中，有非常关键的作用；该制备方法工艺简单，易于实施，靶材使用率高、生产成本低，适于大规模的推广应用。

主权项

一种掺硼金刚石刻蚀的方法，其特征在于采用超高真空磁控溅射镀膜机和直流电弧等离子体喷射CVD设备制备，本步骤如下：1)在镀膜机阴极安装镍靶，在阳极固定金刚石片；2)开对向靶磁控溅射设备，先后启动一级机械泵和二级分子泵抽真空；3)向真空室通入氩气；4)开启溅射电源，在一对镍靶上施加电流和电压，进行预溅射，等溅射电流和电压稳定；打开基片架上的挡板开始镀膜，镀膜过程中基片位置固定；5)镀膜结束后，关闭基片架上的挡板，然后关闭溅射电源，停止通入溅射气体氩气，完全打开闸门阀，继续抽真空，然后关闭真空系统，待系统冷却后向真空室充入空气，待真空室的气压与外界大气压相同时，开真空室，打开样品取出镀镍的掺硼金刚石片；6)将镀镍的掺硼金刚石片置于直流电弧等离子体喷射CVD设备的样品台支架上；7)开启配电柜，开启电气控制柜，开启水冷系统和机械泵抽真空，通入氢气和氩气，等待腔压、泵压回升。8)磁场控制开关打开，退火，通过控制样品台高度，控制温度；9)退火结束后关闭电气控制柜和配电柜，等沉积台冷却后，取出制得的目标产品。