[发明专利]用于嵌入式FLASH应用的STT-MRAM位格

摘要

所揭示乃是一种自旋转移力矩磁性随机存取存储器装置、以及一种进行嵌入式快闪装置操作的方法。该自旋转移力矩磁性随机存取存储器装置组配成包括自旋转移力矩磁性随机存取存储器位格阵列。该数组包含复数个位线和复数个字符线，其中该位线形成多行自旋转移力矩磁性随机存取存储器位格且该字符线形成多列自旋转移力矩磁性随机存取存储器位格。各个自旋转移力矩磁性随机存取存储器位格包含串联耦合至存取晶体管的磁穿隧接面组件，该存取晶体管具有栅极端点以及源极和漏极端点。该数组包含耦合至该存取晶体管的该源极端点的复数个源极线。该自旋转移力矩磁性随机存取存储器位格的操作组配成包括：初始化操作、编程操作和扇区抹除操作。

主权项

1.一种自旋转移力矩磁性随机存取存储器装置，其包含：具有M个自旋转移力矩磁性随机存取存储器胞元的第一位线；具有M个自旋转移力矩磁性随机存取存储器胞元的第二位线，其中该第一及第二位线形成第一及第二行自旋转移力矩磁性随机存取存储器胞元，且磁性随机存取存储器胞元包括具有第一磁穿隧接面端点及第二磁穿隧接面端点的磁穿隧接面组件，以及具有栅极、源极和漏极端点的存取晶体管，其中该漏极端点耦合至该第一磁穿隧接面端点，以提供该存取晶体管和该磁穿隧接面组件之间的串联耦合；复数M个字符线(WLs)，其耦合至该自旋转移力矩磁性随机存取存储器胞元的该存取晶体管的该栅极端点，其中字符线耦合至该第一及第二位线中的一个自旋转移力矩磁性随机存取存储器胞元以形成一列自旋转移力矩磁性随机存取存储器胞元，该复数M个字符线形成M列自旋转移力矩磁性随机存取存储器胞元；以及源极线(SL)，其耦合至该第一及第二行自旋转移力矩磁性随机存取存储器胞元的该自旋转移力矩磁性随机存取存储器胞元的该存取晶体管的该源极端点，其中该源极线由该第一及第二行自旋转移力矩磁性随机存取存储器胞元共享，及组配成金属阶层大于设置于预金属介电质(PMD)上的M1金属阶层，以适应该源极线宽度上的增加。